日前，格罗方德半导体(GF)宣布，它已经收购了瑞萨电子公司(Renesas)的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。

旨在实现物联网应用 格罗方德收购瑞萨电子专利

  这项交易进一步加强了GF的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器(NVM)解决方案的路线图。

  具体而言，这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

  GF首席业务官Mike?Hogan说：“通过收购这项创新的存储技术，GF现在在加速开发NVM解决方案方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM技术释放了性能和超低能耗的新模式，使从可穿戴设备到智能手机的各种应用，在特定的使用情况下，将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。”

  CBRAM的低功耗、高读/写速度、降低制造成本以及对恶劣环境的耐受性，使其特别适用于消费、医疗和部分工业应用。

  2020年，格罗方德半导体与Dialog半导体公司达成了一项许可协议，将其CBRAM技术作为一种嵌入式、非虚拟的选择。今天，CBRAM正在该公司的22FDX?平台上进行鉴定，并计划将其扩展到其他平台。